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还在为功率转换电路的效率和发热问题烦恼吗？让STL60N3LLH5来为您分忧！这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的7.1毫欧超低导通电阻，能轻松驾驭高达60A的连续电流，显著降低开关和导通损耗，直接提升您的系统整体能效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您在高功率密度设计中游刃有余。其4.5V的低栅极驱动电压和极低的栅极电荷，让驱动电路设计更简单，开关速度更快，助您实现高效、紧凑且可靠的电源管理、电机驱动或负载开关解决方案。

• 型号:STL60N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.1 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL60N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。