我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL60N32N3LL现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时兼顾高功率密度与出色效率的“心脏”吗？STL60N32N3LL正是您的理想之选。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其高达32A/60A的电流处理能力和低至9.2毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它采用先进的STripFET技术，逻辑电平门设计让您可以直接用微处理器轻松驱动，极大简化了电路。紧凑的PowerVDFN封装不仅为您节省宝贵的电路板空间，其强大的散热性能更能确保设备在严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STL60N32N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A，60A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950pF @ 25V
• 功率 - 最大值:23W，50W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL60N32N3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。