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还在寻找一颗能同时征服高电流与紧凑空间的功率开关吗？STL60N10F7正是为您而来的解决方案。它集成了ST先进的STripFET VII技术，在100V的电压下提供高达46A的电流处理能力，而其导通电阻（Rds(on)）最低仅18毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片能让您轻松应对空间挑战。其创新的PowerFlat（5x6）微型封装，极大地节省了PCB面积，非常适合对尺寸有严苛要求的现代便携式设备或高密度电源模块。同时，优异的开关性能（低栅极电荷Qg）与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在各种应用场景下的快速响应与长期可靠性，是您提升产品功率密度和整体性能的得力助手。

• 型号:STL60N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL60N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。