我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL47N60M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的“心脏”吗？STL47N60M6正是为您而来。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和31A的强大电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

它极低的导通电阻（80mΩ @10V）和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升系统整体能效，减少散热设计压力。其紧凑的PowerFlat HV表面贴装封装，让您能轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高可靠性基因，让您轻松驾驭从工业电源到新能源逆变器的各种挑战。

• 型号:STL47N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 15.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:189W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL47N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。