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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？STL40DN3LLH5双N沟道MOSFET阵列，正是为您解决这一核心挑战而生。它凭借STripFET V技术的加持，实现了惊人的18毫欧超低导通电阻，让您轻松驾驭高达40A的大电流，同时将导通损耗降至最低，直接提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计更紧凑、更高效。其极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，减少开关损耗；宽广的-55°C至175°C工作结温范围，则提供了卓越的可靠性。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STL40DN3LLH5都能以更小的体积和更低的温升，助您打造出性能领先、竞争力十足的产品。

• 型号:STL40DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 25V
• 功率 - 最大值:60W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL40DN3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。