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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？STL3N10F7 N沟道MOSFET就是您的高效能量开关专家。它基于先进的STripFET VII技术，拥有低至70毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源适配器、LED驱动或电机控制应用轻松实现更高的能效和功率密度。

这颗芯片采用超薄紧凑的PowerFlat封装，不仅为您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能确保系统在高负载下稳定运行。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧各种环境挑战。选择STL3N10F7，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:STL3N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• STL3N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。