我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL38N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性与紧凑布局要求的“心脏”吗？STL38N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，凭借650V的高耐压和极低的导通电阻，能显著降低您在开关电源、电机控制等应用中的传导损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它采用创新的PowerFlat HV封装，不仅体积小巧，有助于您实现高功率密度设计，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）更能让您轻松驱动，提升整体开关频率和响应速度。高达150°C的结温工作能力和强大的功率处理能力，确保了它在严苛环境下的持久稳定，让您对产品的长期可靠性充满信心。

• 型号:STL38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta），22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL38N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。