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还在寻找那颗能同时驾驭高电压与大电流，又能保持冷静高效的“核心开关”吗？STL36N60M6正是为您而来。这颗600V/25A的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh M6技术的深厚内功，能轻松将导通损耗降至新低，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”、更持久。

它不仅仅参数亮眼，更懂得如何融入您的设计。超低的栅极电荷让开关动作干净利落，显著提升频率与效率；而独特的PowerFlat HV封装，则在方寸之间实现了优异的散热与功率密度，让您的高功率设计也能保持紧凑优雅。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲且高效的心脏。

• 型号:STL36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL36N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。