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还在为高压开关应用的效率和散热头疼吗？STL2N80K5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和仅4.9欧姆的低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源系统运行得更凉快、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您轻松实现高功率密度的紧凑设计。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让驱动变得更简单，帮助您提升系统响应速度，优化整体能效。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:STL2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL2N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。