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还在为电源和电机控制项目的效率瓶颈与空间限制烦恼吗？STL25N15F3 N沟道功率MOSFET就是您的高效解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET III技术打造，拥有150V耐压和25A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于极低的57毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效比大幅提升。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源管理单元变得异常高效和紧凑。其PowerFlat超薄封装极大节省了PCB空间，同时优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让高频开关操作轻松自如，减少开关损耗。选择它，意味着您选择了更优的热性能、更高的功率密度以及从工业级到消费电子应用的广泛适应性，轻松实现设计目标。

• 型号:STL25N15F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL25N15F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。