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还在寻找那颗能同时征服效率与空间挑战的“心脏”吗？STL24N65M2正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的650V/14A MOSFET，旨在让您的电源设计脱胎换骨。它凭借低至250毫欧的导通电阻，大幅削减导通损耗，直接将更多电能高效输送至负载，而非浪费为热量，让您的设备运行更凉爽、更持久。

更令人惊喜的是，其优化的开关特性（如29nC的低栅极电荷）让高频操作变得轻松自如，显著提升开关频率的同时，降低了驱动需求。结合创新的PowerFlat HV封装，它为您提供了卓越的散热性能和极小的占板面积。选择STL24N65M2，就是选择了一条通往更高功率密度、更高可靠性以及更具竞争力产品设计的捷径。

• 型号:STL24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL24N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。