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还在寻找那颗能同时征服效率与空间挑战的“心脏”吗？STL24N60M6正是为您而来的答案。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和15A的电流处理能力，专为高效开关应用而生。它能让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和更低的能量损耗。

其卓越的开关特性，如低至209毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是用于紧凑型适配器、工业电源还是新能源设备，它都能帮助您打造出更节能、更可靠、更具竞争力的产品。选择它，就是选择了一条通往高性能设计的捷径。

• 型号:STL24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:209毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL24N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。