我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL22N60DM6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升电源转换效率、同时节省宝贵电路板空间的“能量开关”吗？STL22N60DM6正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有高达650V的漏源电压和15A的连续电流能力，专为应对高压、高功率应用挑战而设计。

它的核心使命，是让您的设计更高效、更紧凑。其优化的芯片结构与独特的PowerFlat HV封装相结合，能显著降低导通与开关损耗，从而减少能量浪费和发热量。这意味着您不仅能轻松提升系统整体能效，还能在更小的空间内实现更大的功率输出，完美适用于服务器电源、工业驱动和新能源转换等领域，助您打造出性能卓越且极具竞争力的下一代产品。

• 型号:STL22N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:265 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:102W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL22N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。