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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持高效冷静的功率开关吗？STL19N65M5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和高达12.5A的电流处理能力，其核心价值在于让您的功率转换系统运行得更高效、更可靠。

得益于ST独有的MDmesh V技术，它在导通电阻和开关性能之间取得了绝佳平衡。极低的Rds(on)显著减少了导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关动作，从而全面降低系统功耗与发热。采用紧凑的PowerFlat HV封装，它不仅能轻松应对高温环境（结温高达150°C），更能让您高效利用宝贵的电路板空间，助力实现更小巧、更强大的终端产品设计。

• 型号:STL19N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），12.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL19N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。