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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让STL18N60M2为您带来变革性的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和9A的强劲电流处理能力，而其核心魅力在于仅308毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低导通损耗，直接将更高的能效和更低的温升馈赠给您的系统。

更令人惊喜的是，它通过优化的21.5nC低栅极电荷和快速的开关特性，让您轻松实现高效、低噪声的功率转换。同时，其创新的PowerFlat HV表面贴装封装，在确保57W强大散热能力的同时，为您节省宝贵的电路板空间，完美适配紧凑型的高密度设计。选择它，就是选择了一条通往更高性能、更小体积和更可靠运行的捷径。

• 型号:STL18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:308 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL18N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。