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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让设备运行更强劲持久的“心脏”吗？STL180N6F7正是这样一款高性能N沟道MOSFET。它集成了意法半导体先进的STripFET F7技术，以低至2.4毫欧的导通电阻，让电流通过时的能量损耗大幅降低，直接为您节省能源，减少发热。

这颗芯片能轻松应对高达60V电压和120A（Tc）电流的挑战，其出色的热性能（最大功耗166W Tc）和宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在严苛环境下依然稳定可靠。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STL180N6F7都能让您的设计更高效、更紧凑，助您快速打造出性能卓越的终端产品。

• 型号:STL180N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL180N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。