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还在寻找一颗能同时征服效率与空间挑战的高压开关管吗？STL17N60M6就是您的理想答案。它基于ST先进的MDmesh M6技术，为您带来600V/10A的强悍开关能力，其超低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动、LED照明等高要求应用。其独特的PowerFlat HV封装，在保证卓越散热和可靠性的前提下，实现了极小的占板面积，让您在设计时游刃有余，轻松打造出更紧凑、性能更优的下一代产品。

• 型号:STL17N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL17N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。