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还在为功率转换效率低下和空间局促而困扰吗？让STL17N3LLH6为您带来颠覆性的解决方案！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，能够在仅4.5V的低驱动电压下，实现惊人的4.5毫欧超低导通电阻，轻松驾驭高达17A的连续电流。这意味着在您的同步整流或电机控制电路中，它能大幅削减开关损耗，让电能转换前所未有的高效。

更令人赞叹的是，它采用了超薄紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）封装，完美解决高密度电路板的设计难题，为您节省每一寸宝贵空间。其坚固的设计支持-55°C至150°C的宽温工作范围，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的产品选择了高效、紧凑与可靠的核心动力。

• 型号:STL17N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL17N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。