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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STL16N60M6正是为您而来的高效能开关利器。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和8A的强劲电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或照明系统时，能够轻松实现更低的导通损耗和更出色的热性能。

其独特的PowerFlat HV（5x6）表面贴装封装，不仅大幅节省了宝贵的PCB空间，助力实现高功率密度设计，更能优化散热路径，让系统运行更加冷静可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效、紧凑与稳定的核心基因，助您轻松应对各种严苛的功率应用挑战。

• 型号:STL16N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL16N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。