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还在为功率转换电路的空间和效率烦恼吗？让STL16N1VH5来为您解决！这颗采用先进PowerFlat封装的N沟道MOSFET，能在指甲盖大小的面积内（3.3x3.3mm），为您高效控制高达16A的电流。其超低的3毫欧导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。

它专为12V低压大电流场景优化，如笔记本电源、便携设备及车载系统。凭借快速的开关特性和宽温工作能力，它能轻松应对高频开关和复杂环境挑战，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:STL16N1VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:500mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL16N1VH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。