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当您的设计需要一颗能“扛大梁”的功率开关时，STL160NS3LLH7就是您的理想答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，专为高效能、高电流应用而打造，它能轻松驾驭高达160A的连续电流，并以低至2.1毫欧的导通电阻，显著降低系统在运行中的能量损耗，直接为您提升整体能效。

它采用先进的DeepGATE和STripFET VII技术，结合紧凑的PowerFlat表面贴装封装，让您能在有限的空间内实现更高的功率密度和更优的散热表现。无论是用于优化电源转换效率，还是驱动大功率负载，STL160NS3LLH7都能提供稳定可靠的性能，助您构建更强劲、更耐用的电子系统。

• 型号:STL160NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3245 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:84W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL160NS3LLH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。