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还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？STL15N60M2-EP正是为您而来的高效能引擎。这颗N沟道功率MOSFET集成了ST先进的MDmesh M2-EP技术，它能为您做什么？核心就是让您的系统运行得更“冷”、更“快”、更“省”。其极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升整体能效，让热量不再是困扰，让电能得到最大化的利用。

它拥有600V的坚固耐压和7A的强劲电流处理能力，配合创新的PowerFlat HV封装，让您在狭小的空间内也能实现高达55W的功率耗散。这意味着您能轻松设计出更紧凑、更可靠的电源模块、电机驱动器或照明解决方案。选择它，就是选择了一种高效、可靠且面向未来的功率管理方式，让您的产品在性能和体积上赢得双重优势。

• 型号:STL15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:418 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL15N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。