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还在为功率开关的效率与尺寸烦恼吗？STL15DN4F5双N沟道MOSFET为您提供一站式高效解决方案。它让您轻松驾驭高达60A的连续电流，凭借低至9毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，提升系统整体能效，同时其逻辑电平门驱动让您的控制电路设计更为简化。

这颗芯片专为要求严苛的汽车电子和高效电源应用而生。其紧凑的PowerFLAT封装极大节省了PCB空间，而宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STL15DN4F5都能以卓越的电气性能和可靠性，助您打造出更节能、更紧凑、更可靠的产品。

• 型号:STL15DN4F5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550pF @ 25V
• 功率 - 最大值:60W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL15DN4F5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。