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还在寻找那颗能兼顾高性能与高集成的功率开关吗？STL13N60M2正是为您而来的解决方案。它基于先进的MDmesh II Plus技术，让您轻松驾驭600V/7A的功率等级，同时将导通损耗降至新低，显著提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您的电源设计事半功倍。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更简单的驱动设计，帮助您轻松实现更高的工作频率。其创新的PowerFlat HV超薄封装，不仅节省了宝贵的电路板空间，还提供了出色的散热性能，让您的产品在紧凑的体积内也能释放强大而稳定的功率。

无论是开发下一代高效适配器、LED驱动，还是工业电机控制板，选择STL13N60M2，就是选择了一个可靠、高效且易于使用的功率核心，助您快速将创新理念转化为市场领先的产品。

• 型号:STL13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。