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您正在寻找一颗能同时征服高电流与低损耗挑战的功率开关吗？STL120N2VH5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的120A连续电流处理能力，而其导通电阻低至仅3毫欧，能大幅降低您在电源路径上的能量损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您能在紧凑的设计中轻松集成强大动力。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是驱动高性能电机，它都能以卓越的开关性能和热管理能力，助您轻松实现产品性能的飞跃。

• 型号:STL120N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 14A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4660 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL120N2VH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。