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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL11N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有650V高耐压和8.5A的强劲电流输出能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值530毫欧）和超低的栅极电荷。这意味着它能大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，同时减少发热，提升系统可靠性。

得益于其PowerFLAT 5x5的超薄紧凑封装，它能让您在设计时最大限度地节省PCB空间，非常适合追求高功率密度的现代电子设备。无论是开发高效的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路，还是驱动电机或LED照明，STL11N65M5都能以卓越的电气性能和热性能，助您打造出更节能、更小巧、更具市场竞争力的产品。

• 型号:STL11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL11N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。