我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL11N65M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？STL11N65M2就是为您量身打造的解决方案。这颗650V N沟道功率MOSFET，拥有仅670毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升产品能效等级。

它采用紧凑的POWERFLAT 5x5表面贴装封装，不仅为您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热特性更能确保在高温环境下稳定输出高达7A的连续电流。更低的栅极电荷让开关速度更快，损耗更小，助您轻松实现高频率、高效率的电源设计。选择它，就是选择了一份让设计更省心、性能更出众的保障。

• 型号:STL11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• STL11N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。