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还在寻找一颗能兼顾强劲动力与精巧身姿的功率开关吗？STL11N4LLF5正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V/11A的稳健规格，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值9.7毫欧@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉、更高效。

它采用先进的PowerFlat（3.3x3.3）封装，在提供高达50W（Tc）散热能力的同时，占板面积却极小，完美解决您对高功率密度和紧凑布局的双重需求。无论是同步整流、负载开关还是电机控制，STL11N4LLF5都能以出色的热性能和快速的开关响应，助您轻松提升系统整体能效与可靠性。

• 型号:STL11N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL11N4LLF5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。