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您是否正在寻找一颗能同时征服高效率和迷你尺寸的功率开关解决方案？STL11N3LLH6正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的DeepGATE技术，在仅3.3x3.3毫米的微型PowerFlat封装内，爆发出11A的连续电流处理能力，并凭借低至7.5毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它能让您轻松驾驭各类低压高电流应用。无论是提升便携式设备的电源管理效率，还是优化电机驱动的响应速度与能效，其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都提供了坚实保障。选择STL11N3LLH6，就是为您的设计注入一颗高效、可靠的“动力心脏”，助您轻松实现产品性能的飞跃与小型化目标。

• 型号:STL11N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 24 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL11N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。