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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STL10N60M2来为您提供高效的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和5.5A的电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat HV封装，非常适合您对高功率密度和紧凑布局的追求。这颗芯片能让您轻松应对反激式、正激式等主流拓扑，是设计高性能适配器、LED驱动和工业电源的理想选择。选择它，就是为您的产品注入了ST意法半导体在功率器件领域的深厚技术底蕴与可靠性保障。

• 型号:STL10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。