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在追求极致效率的功率电子世界，您是否正在寻找一颗既能承载大电流，又能将损耗压到最低的开关器件？STL105NS3LLH7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的3.9毫欧超低导通电阻，让您在处理高达105A电流时，也能大幅降低导通损耗，显著提升系统整体能效。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关设计运行得更凉爽、更高效。极低的栅极电荷确保了快速干净的开关动作，配合30V的漏源电压和宽广的工作温度范围，为您在各种严苛应用中的稳定运行保驾护航。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STL105NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL105NS3LLH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。