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您正在寻找一颗能同时征服高电流与高效率挑战的功率开关吗？STL105N4LF7AG正是您的理想答案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和高达105A的连续电流承载能力，而其导通电阻最低仅4.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为汽车级可靠性设计，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在恶劣环境下稳定运行。创新的PowerFlat封装兼具出色的散热性能与紧凑的占板面积，轻松助您实现高功率密度的小型化设计。无论是优化开关速度、提升系统能效，还是增强产品可靠性，STL105N4LF7AG都能让您的设计脱颖而出。

• 型号:STL105N4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL105N4LF7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。