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还在为高电流应用的开关损耗和散热问题烦恼吗？STL100NH3LL正是为您排忧解难的利器。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其惊人的100A连续电流能力和仅3.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统功耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅跃升。

它采用先进的STripFET III技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅开关速度快、热性能优异，更能为您节省宝贵的电路板空间。无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克新的高功率密度设计挑战，STL100NH3LL都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制，是工程师应对严苛功率管理任务的信心之选。

• 型号:STL100NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL100NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。