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您正在寻找一颗能扛起大梁、同时保持冷静高效的功率开关吗？STL100N6LF6正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的100A连续电流处理能力和低至4.5毫欧的导通电阻，能显著降低您电源系统中的传导损耗，让电能转换更加高效。

它采用先进的STripFET VI技术，配合紧凑的PowerFlat 5x6封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能让您在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定运行。无论是处理电机驱动中的峰值电流，还是在高频开关电源中实现快速切换，它都能轻松应对，让您的设计更可靠、性能更出众。

• 型号:STL100N6LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL100N6LF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。