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您是否正在寻找一颗能够以极小损耗驾驭超大电流的功率开关？STL100N1VH5正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有12V的漏源电压和高达100A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于超低的3毫欧导通电阻（在4.5V Vgs下）。这意味着当它完全开启时，电流可以几乎无阻碍地通过，从而将导通损耗降至最低，让您的电源转换或电机驱动系统效率大幅提升，发热显著减少。

得益于STripFET V技术和紧凑的PowerFlat封装，它不仅性能强悍，还能帮助您优化电路板布局，实现更高的功率密度。无论是处理瞬态大电流还是进行高频开关，其优化的栅极电荷和电容特性都能让您轻松驾驭，确保快速、干净的开关动作，从而提升整体系统的响应速度和稳定性。简而言之，STL100N1VH5能让您用更小的损耗和更紧凑的空间，可靠地控制强大的电能。

• 型号:STL100N1VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 12.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:500mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL100N1VH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。