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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？让STL100N10F7来为您解决核心难题！这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有仅7.3毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它具备100V耐压和80A的强大电流处理能力，轻松应对高功率密度设计挑战。其PowerFlat封装优化了散热与空间占用，让您能在更紧凑的布局中实现高达100W的功率耗散。无论是提升电机驱动性能，还是优化电源模块效率，STL100N10F7都是您实现高性能、高可靠性设计的得力助手。

• 型号:STL100N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL100N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。