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STK800 零件图片(仅供参考)

STK800
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STK800 规格参数

还在为功率开关的效率瓶颈而烦恼吗?STK800正是为您突破这一限制而生的利器。这颗采用意法半导体先进STripFET技术的N沟道MOSFET,拥有30V的耐压和高达20A的连续电流承载能力,其核心魅力在于超低的7.8毫欧导通电阻,能显著降低导通损耗,让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭高频开关场景。得益于优化的栅极电荷和输入电容,STK800的开关速度极快,开关损耗大幅减少,特别适合DC-DC转换、电机控制等对动态性能要求苛刻的应用。其坚固的PolarPak封装确保了出色的散热和可靠性,宽温工作范围则让您的产品无惧环境挑战。选择STK800,就是为您的设计注入一颗强劲而高效的“心脏”。

  • 型号:STK800
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PolarPak
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.8 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1380 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):5.2W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PolarPak
  • 封装/外壳:PolarPak
  • STK800,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STK800 基本参数:

  • 电子零件型号:STK800
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STK800的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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