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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降又足够低的功率开关吗？STI90N4F3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和高达80A的电流处理能力，而其核心魅力在于仅6.5毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流路径中，它能将导通损耗降至最低，让系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

得益于意法半导体成熟的STripFET III技术，它在提供强大功率处理能力的同时，还保持了优秀的开关特性。较低的栅极电荷让您的驱动电路设计更轻松，开关速度更快，从而有效降低开关损耗。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STI90N4F3都能让您轻松构建出高效、紧凑且性能卓越的电力电子解决方案。

• 型号:STI90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI90N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。