我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI76NF75现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STI76NF75正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有75V耐压和高达80A的连续电流承载能力，其精髓在于STripFET II技术带来的卓越性能：仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让热量管理变得更轻松。

同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容特性，让驱动设计更为高效，有助于实现更高的开关频率，从而让您的电源设计可以朝着更小体积、更高功率密度的方向迈进。无论是应对工业领域的严酷挑战，还是满足消费电子对能效的苛刻要求，它都能让您的产品性能表现更加稳定出众。

• 型号:STI76NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI76NF75，ST（意法半导体）产品一站式供应商。