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还在为高压电路中的开关损耗和发热问题烦恼吗？让意法半导体的STI6N62K3为您带来变革性的解决方案！这颗基于SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，是专为高效能、高可靠性应用而生的功率开关利器。

它拥有620V的高耐压和5.5A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机控制等高压场景。其核心价值在于极低的导通电阻（1.2Ω）和栅极电荷（34nC），这意味着它能大幅降低开关和传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，同时快速的开关特性让您能优化设计频率。坚固的I2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种环境下都能稳定输出高达90W的功率，是您打造耐用、高效产品的理想选择。

• 型号:STI6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI6N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。