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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STI57N65M5正是为此而来。这颗来自意法半导体MDmesh V系列的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源击穿电压和42A的连续漏极电流能力，让您在设计服务器电源、UPS、太阳能逆变器或工业电机驱动时底气十足。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。仅63毫欧的导通电阻（在21A，10V条件下），能显著减少导通状态下的热量产生，直接提升系统能效，让您的产品更节能、散热设计更轻松。同时，优化的动态参数有助于实现更快的开关速度，降低开关损耗，进一步提升整体效率。采用坚固的I2PAK通孔封装，确保了出色的功率耗散能力与长期可靠性，是您构建高效、紧凑、可靠功率系统的理想选择。

• 型号:STI57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI57N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。