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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STI40N65M2正是这样一位沉默而强大的“能量指挥官”。它基于先进的MDmesh M2技术，轻松驾驭650V的漏源电压和32A的连续电流，其优化的导通特性能让您在提升系统效率方面事半功倍。

这颗N沟道MOSFET的核心使命，就是让您的电源转换或电机驱动应用运行得更顺畅、更节能。它极低的栅极电荷和导通电阻，意味着更快的开关速度和更小的导通损耗，直接帮助您降低系统发热，提升功率密度。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求家用电器的高效静音，它都能提供稳定可靠的性能支撑。

虽然已停产，但其经典的I2PAK通孔封装和坚实的参数表现，使其成为许多成熟、长寿产品设计中不可或缺的一环。选择STI40N65M2，就是为您的经典设计选择了一份经久耐用的可靠性保障。

• 型号:STI40N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2355 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI40N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。