我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI400N4F6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流、压降低、散热好的核心功率开关吗？STI400N4F6正是为您的高要求应用而生。它基于意法半导体先进的STripFET VI技术，拥有40V的耐压和高达120A的电流处理能力，而其导通电阻低至惊人的1.7毫欧，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用坚固的I2PAK（TO-262）封装，功率耗散能力达300W，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了极端环境下的卓越可靠性。无论是用于同步整流、电机控制还是大电流开关，STI400N4F6都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，提升整体系统性能与寿命。

• 型号:STI400N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:377 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI400N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。