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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的核心开关吗？STI360N4F6正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达120A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅1.8毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在DC-DC转换、电机驱动或电源路径管理中的开关损耗，直接提升系统整体能效。

它采用坚固的I2PAK通孔封装，散热性能优异，让您无需为功率耗散过度担忧。结合意法半导体先进的STripFET VI技术，它在提供快速开关速度的同时，保持了出色的稳定性。无论是用于升级现有设计还是开发高可靠性的新项目，STI360N4F6都能让您的功率处理环节变得更高效、更从容。

• 型号:STI360N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI360N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。