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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时还能保持出色效率的功率开关吗？STI35N65M5正是您的理想之选。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，为您轻松驾驭650V的漏源电压和27A的连续电流，而其低至98毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

这颗N沟道MOSFET拥有优化的动态特性，如较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，提升整体系统频率和响应速度。其坚固的I2PAK封装和高达160W的功率耗散能力，确保了卓越的散热性能和长期可靠性。无论是升级现有设计还是追求稳定经典的解决方案，STI35N65M5都能以强大的性能，让您的产品在能效与可靠性上赢得优势。

• 型号:STI35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI35N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。