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您是否正在寻找一颗能显著提升高压开关电源效率与可靠性的核心器件？STI34N65M5正是您期待的答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的650V/28A N沟道MOSFET，通过其极低的110毫欧导通电阻，能大幅降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接帮助您优化产品性能并降低运营成本。

它卓越的开关特性（低栅极电荷与输入电容）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而减小变压器和滤波器的体积，助力打造更轻巧、功率密度更大的终端产品。无论是面对工业驱动、电源转换还是能源基础设施的挑战，STI34N65M5都能提供坚固耐用的通孔封装和宽泛的工作温度范围，确保您设计的长期稳定与可靠。

• 型号:STI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STI34N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。