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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STI33N65M2正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源击穿电压和24A的连续电流能力，专为要求苛刻的开关电源和电机驱动应用而生。

它的核心价值在于卓越的性能平衡。极低的140毫欧导通电阻（Rds(on)）能显著减少导通损耗，提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷（仅41.5nC）让您能轻松实现高速开关，降低驱动损耗和发热。采用坚固的I2PAK通孔封装，散热能力出众，确保在高温环境下稳定运行。选择STI33N65M2，就是为您的产品注入了高效、可靠与耐久的基因，让您的设计在性能与成本之间找到最佳支点。

• 型号:STI33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI33N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。