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还在为高电流应用的效率瓶颈而烦恼吗？STI300N4F6正是为您破局而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和高达160A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅2.2毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术，不仅开关性能优异，栅极电荷管理也更为出色。搭配I2PAK封装带来的强大散热能力，让您能轻松应对高功率密度设计挑战，大幅提升产品的可靠性和功率密度。选择它，就是为您的下一代高性能设备注入了强劲而高效的心脏。

• 型号:STI300N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI300N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。