我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI24NM65N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关吗？STI24NM65N正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和19A的连续电流能力，核心优势在于其极低的导通电阻（典型值190毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

得益于ST先进的MDmesh II技术，它在开关速度和损耗之间取得了优异平衡。较低的栅极电荷和输入电容让驱动设计更轻松，开关动作更迅捷，从而提升整体能效。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求极致的能源转换效率，它都能让您的设计脱颖而出，可靠应对高功率应用的核心需求。

• 型号:STI24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI24NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。