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您正在设计需要处理高压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STI23NM60ND正是为您而来的高效功率开关核心。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和19.5A的强大电流承载能力，能轻松应对工业级应用的严苛挑战。

它的核心价值在于“高效”与“可靠”。凭借FDmesh II技术，它实现了极低的导通电阻（仅180毫欧），能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。同时，优化的开关特性让您能够设计出频率更高、体积更小的电源产品。其坚固的I2PAK封装和宽温度工作范围，确保了在长期运行中的卓越稳定性，是提升产品市场竞争力的理想选择。

• 型号:STI23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI23NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。